Proposition de stage MASTER 2 et thèse Année universitaire 2008-2009 Etude de l’utilisation de Jonctions Tunnel Magnétiques pour le développement de circuits logiques non-volatiles très basse consommation L’élément de base utilisé en spintronique est la Jonction Tunnel Magnétique (JTM), nanostructure dont la résistance électrique dépend de son état magnétique. Ces composants sont bien connus en tant que brique de base des mémoires dites magnétiques (MRAM pour Magnetic Random Access Memory). Ce nouveau type de mémoire combine une non-volatilité intrinsèque avec une grande vitesse de fonctionnement, une densité d’intégration importante, une faible consommation, une immunité aux radiations ionisantes ainsi qu’une cyclabilité quasiment infinie. Ces propriétés valent souvent aux MRAM le qualificatif de « mémoires universelles », pouvant potentiellement remplacer les SRAM et DRAM (volatiles) ainsi que les Flash (lentes et gourmandes en énergie à l’écriture et sujettes au vieillissement). Mais les JTM peuvent aussi être utilisées pour d’autres familles logiques : c’est ce que l’on appelle logique hybride CMOS/Magnétique. La MRAM peut par exemple remplacer les mémoires conventionnelles dans les circuits reprogrammables et les JTM peuvent apporter de la non-volatilité dans les circuits types ASIC’s (Application Specific Integrated Circuits) pour diminuer fortement la consommation statique. L’apparition de nouvelles technologies de JTM à ...