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Large intrinsic birefringence in zincblende based artificial semiconductors
P. Voisin
J.M. Jancu, R. MagriTheory J.C. HarmandMBE G. PatriarcheStructural analysis,TEM A. Talneau, K. MeunierOptics
Journées Scientifiques de l’ONERA
Motivation:
Laboratoire de Photonique et de Nanostructures
(2) Semiconductor devices for optical frequency conversion using X
Zincblende IIIV (possibly II VI) semiconductors have promising features :
(2) large X , good thermal properties , mature epitaxial growth, optoelectronic and guidedoptics technologies, availability of integrable pump lasers…
Strong dispersion of optical index Cubic symmetry Challenge of phase matching
Implementation of large native birefringence in artificial semiconductors ?
Journées Scientifiques de l’ONERA
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Laboratoire de Photonique et de Nanostructures