Full-Band Monte Carlo Simulations for Vertical Impact Ionization MOSFETs [Elektronische Ressource] / Thanh Viet Dinh. Betreuer: Christoph Jungemann. Gutachter: Rainer Kraus. Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

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UNIVERSITÄT DER BUNDESWEHR MÜNCHEN Fakultät für Elektrotechnik und InformationstechnikFull-Band Monte Carlo Simulations forVertical Impact Ionization MOSFETsThanh Viet Dinh Vorsitzender des Promotionsausschusses: Prof. Dr.-Ing. Walter Hansch 1. Berichter: Prof. Dr.-Ing. Christoph Jungemann 2. Berichter: PD Dr.-Ing. Habil. Rainer KrausTag der Pr üfung 21.09.2010Mit der Promotion erlangter akademischer Grad:Doktor-Ingenieur(Dr.-Ing.)Neubiberg, den 23. September 2010Contents1 Introduction 11.1 Motivation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.2 Scope of work . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31.3 Structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 Monte Carlo simulator for nanoscale devices 52.1 Basic equations for the electrical transport in semiconductordevices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52.1.1 The Boltzmann transport equation . . . . . . . . . . . 52.1.2 The Poisson equation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72.2 Monte Carlo simulator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82.2.1 Introduction of the Monte Carlo method . . . . . . . . 82.2.2 The Monte Carlo solver for the Boltzmann equation . . 102.2.3 Scattering mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132.2.4 Device simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Sujets

• Physik

Informations

• Publié par: universitat_der_bundeswehr_munchen
• Publié le: 01 janvier 2010
• Nombre de lectures: 61
• Poids de l'ouvrage: 2 Mo

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