Mechanical surface nano-patterning of Indium phosphide and silicon for subsequent electrochemical processing [Elektronische Ressource] = Mechanische Oberflächen-Nanostrukturierung von Indiumphosphid und Silizium für anschließende elektrochemische Prozesse / vorgelegt von Rémy Gassilloud

De
Mechanical Surface Nano-patterning of Indium Phosphide and Silicon for Subsequent Electrochemical Processing Mechanische Oberflächen-Nanostrukturierung von Indiumphosphid und Silizium für Anschliessende Elektrochemische Prozesse Der Technischen Fakultät der Universität Erlangen-Nürnberg zur Erlangung des Grades DOKTOR-INGENIEUR Vorgelegt von Rémy GASSILLOUD Erlangen- 2006 Als Dissertation genehmigt von der Technischen Fakultät der Universität Erlangen-Nürnberg Tag der Einreichung: 21.04.2006 Tag des Promotion: 10.11.2006 Dekan: Prof. Dr. –Ing. A. Leipertz Berichterstatter: Prof. Dr. P. Schmuki Prof. Dr. M. Göken Dr. J. Michler INHALTSVERZEICHNIS Kapitel 1 Einführung 1 Kapitel 2 Literaturüberblick 5 2.1 Der Nano-Ritz Prozess 6 2.1.1 Beschreibung des Ritztests 6 2.1.2 Ritzhärte 8 2.1.3 Reibungskoeffizient 9 2.1.4 Spitzengeometrien 9 2.1.5 Experimentelle Spitzengeometrien 11 2.2 Mechanische Analyse 12 2.2.1 Indiumphosphid und Silizium 12 2.2.2 Elastizitätsmodul 13 2.2.3 Einsetzen von Plastizität, Halbleiterfluss und Phasentransformation 17 2.2.4 Das elastische Spannungsfeld 21 2.3 Allgemeine Aspekte der Elektrochemie von Halbleitern 24 2.3.1 Bandstruktur eines Halbleiters 24 2.3.
Publié le : lundi 1 janvier 2007
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Mechanical Surface Nano-patterning
of Indium Phosphide and Silicon
for Subsequent Electrochemical Processing

Mechanische Oberflächen-Nanostrukturierung
von Indiumphosphid und Silizium
für Anschliessende Elektrochemische Prozesse





Der Technischen Fakultät der
Universität Erlangen-Nürnberg
zur Erlangung des Grades

DOKTOR-INGENIEUR







Vorgelegt von
Rémy GASSILLOUD









Erlangen- 2006






































Als Dissertation genehmigt von
der Technischen Fakultät der
Universität Erlangen-Nürnberg


Tag der Einreichung: 21.04.2006
Tag des Promotion: 10.11.2006
Dekan: Prof. Dr. –Ing. A. Leipertz
Berichterstatter: Prof. Dr. P. Schmuki
Prof. Dr. M. Göken
Dr. J. Michler
INHALTSVERZEICHNIS

Kapitel 1 Einführung 1

Kapitel 2 Literaturüberblick 5
2.1 Der Nano-Ritz Prozess 6
2.1.1 Beschreibung des Ritztests 6
2.1.2 Ritzhärte 8
2.1.3 Reibungskoeffizient 9
2.1.4 Spitzengeometrien 9
2.1.5 Experimentelle Spitzengeometrien 11
2.2 Mechanische Analyse 12
2.2.1 Indiumphosphid und Silizium 12
2.2.2 Elastizitätsmodul 13
2.2.3 Einsetzen von Plastizität, Halbleiterfluss und Phasentransformation 17
2.2.4 Das elastische Spannungsfeld 21
2.3 Allgemeine Aspekte der Elektrochemie von Halbleitern 24
2.3.1 Bandstruktur eines Halbleiters 24
2.3.2 Elektronen Energieniveaus in Halbleitern und das Ferminiveau 26
2.3.3 Elektronen Energieniveaus im Elektrolyt 27
2.3.4 Halbleiter/Elektrolyt-Grenzfläche (Schottky Modell) 29
2.3.5 Evolution der Bandstruktur bei einer extern angelegten Spannung 30
2.3.6 Einfluss von Kristalldefekten auf das Polarisationsverhalten 32
2.3.7 Oberflächenzustände in der Bandlücke 33
2.3.8 Energieniveaus von Versetzungen in der Bandlücke 34
2.3.9 Grundlagen des Versetzungsätzens 35
2.4 Schlussfolgerungen 36

Kapitel 3 Experimentelles Vorgehen 41
3.1 Probenvorbereitung 42
3.2 Ritz-Aufbau 42
3.2.1 Selbstgebauter, manueller Ritz-Apparat 43
3.2.2 MTS Nanoritzer 44
3.2.3 Nanoritzen mit einem Rasterkraftmikroskop 45
3.3 Elektrochemischer Aufbau 46
3.3.1 Aufbau 46
3.3.2 Elektrolyte und Ätzlösung 48
3.3.3 Rückseitenbeleuchtung 48
3.4 Charakterisierungsinstrumente 49
3.4.1 REM und TEM 49
3.4.2 Raman Spektroskopie 49
3.5 Charakterisierung des Spitzenradius 49
3.6 Schlussfolgerungen 51

Kapitel 4 Nanoritzen-induzierte, elektrochemische Strukturierung von InP 53
4.1 Ätzen von Ritzen hoher Lasten auf InP Oberflächen 55
4.2 Selektive Porosifizierung nanoberitzter Oberflächen 59
4.2.1 Nanometergrosse aufgelöste Rillen 59
4.2.2 Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop 61
4.3 Morphologie- und Mikrostrukturanalyse von Nanoritzen 62
4.3.1 Transmissionselektronenmikroskopische Charakterisierung des Substratmaterials 62
4.3.2 Raman Untersuchung der Nanoritze 67 4.3.3 Topographische Untersuchung mit dem Rasterkraftmikroskop 69
4.3.4 Langzeit-Ätzen 70
4.4 Ursprung der elektrochemischen Selektivität 72
4.4.1 Elektrochemische Impedanzspektroskopie (EIS) Experimente 73
4.4.2 Mott-Schottky Messungen einer intakten Oberfläche 73
4.4.3 Mott-Schottky Messungen einer Oberfläche mit Defekten 75
4.5 Injektion von Versetzungen 78
4.5.1 Unterschied zwischen Nano-Indentation und Nano-Ritzen 79
4.5.2 Das elastische Modell: Anwendung an einem konkreten Fall und Diskussion 85
4.6 Schlussfolgerungen 89

Kapitel 5 Nanoritzen-induzierte, elektrochemische Strukturierung von Silizium 93
5.1 Mikrostrukturelle und mechanische Analyse der Mikro-Ritze 95
5.1.1 Last-Penetrations-Verschiebungs Kurven 96
5.1.2 Rasterelektronenmikroskopische Untersuchung von mikro-geritzten Oberflächen 97
5.1.3 Raman Untersuchung von Mikro-Ritzen 100
5.1.4 Transmissionelektronenmikroskopische Charakterisierung des Substratmaterials 103
5.1.5 Diskussion und Anwendung eines Modells der Kontaktmechanik 105
5.2 Selektives Elektrochemisches Ätzen der Mikro-Ritze 110
5.2.1 Elektrochemisches Ätzen von Mikro-Ritzen 110
5.2.2 Mikrometergrosse geätzte Rillen 113
5.2.3 Raman Untersuchung der geätzten Rillen 115
5.2.4 Diskussion der Mikrostrukturanalyse 116
5.3 Maskenlose Abscheidung von Kupfer auf vorberitzen, vorgeätzten
Siliziumoberflächen 118
5.3.1 Elektrochemisches Prozessfensters für die Abscheidung von Kupfer 118
5.3.2 Selektive Abscheidung von Kupfer in Mikro-Ritzen 120
5.3.3 Diskussion der Kupferabscheidung 123
5.4 Geätzte Rillen mit hohem Formfaktor mittels Rückseitenbeleuchtung 125
5.4.1 Elektrochemisches Verhalten von n- und p-dotiertem Si unter Rückseitenbeleuchtung 127
5.4.2 Kanäle mit hohem Formfaktor ermöglicht durch Oberflächendefekte 129
5.4.3 Kontrolle der Auflösungsreaktion durch Anpassen der Beleuchtungsintensität 133
5.5 Schlussfolgerungen 135

Kapitel 6 Allgemeine Schlussfolgerungen 141

TABLE OF CONTENTS

Chapter 1 Introduction 1

Chapter 2 Literature Review 5
2.1 The Nano-Scratching Process 6
2.1.1 Description of the Scratching Test 6
2.1.2 Scratching Hardness 8
2.1.3 Friction Coefficient 9
2.1.4 Tip Geometries 9
2.1.5 Experimental Tip Geometries 11
2.2 Mechanical Analysis 12
2.2.1 Indium Phosphide and Silicon 12
2.2.2 Young’s Modulus 13
2.2.3 Onset of Plasticity, Semiconductor Flow and Phases Transformation 17
2.2.4 The Elastic Stress Field 21
2.3 General Aspects of Semiconductors Electrochemistry 24
2.3.1 Band Diagram of a Semiconductor 24
2.3.2 Electron Energy Levels in Semiconductors and the Fermi Level 26
2.3.3 Electron Energy Levels in the Electrolyte 27
2.3.4 Semiconductor/Electrolyte Interface (Schottky model) 29
2.3.5 Evolution of the band diagram with an external applied potential 30
2.3.6 Effects of Crystal Defects on the Polarization Behavior 32
2.3.7 Surface States Levels in the Band Gap 33
2.3.8 Energy level of dislocations in the band gap 34
2.3.9 Basics of dislocations etching 35
2.4 Conclusions 36

Chapter 3 Experimental Procedures 41
3.1 Samples Preparation 42
3.2 Scratching Setups 42
3.2.1 Manual Homemade Scratching Apparatus 43
3.2.2 MTS Nanoscratcher 44
3.2.3 Nanoscratching using an Atomic Force Microscope 45
3.3 Electrochemical Setup 46
3.3.1 Setup 46
3.3.2 Electrolytes and Etching Solution 48
3.3.3 Backside Illumination 48
3.4 Characterization Tools 49
3.4.1 SEM and TEM 49
3.4.2 Raman Spectroscopy 49
3.5 Characterization of the Tip Radius 49
3.6 Conclusions 51

Chapter 4 Electrochemical Patterning of InP Induced by Nano-Scraching 53
4.1 Dissolution of high load scratches on InP Surfaces 55
4.2 Selective Porosification of Nano-Scratched Surfaces 59
4.2.1 Nanometer Size Dissolved Grooves 59
4.2.2 Atomic Force Microscopy Nanopatterning 61
4.3 Morphology and Microstructure Analysis of the Nano-scratches 62
4.3.1 Transmission Electron Characterization of the Underlaying Material 62
4.3.2 Raman Investigation of the Nano-scratches 67 4.3.3 Topographical Investigation using Atomic Force Microscopy 69
4.3.4 Long Time Etching 70
4.4 Origin of the Electrochemical Selectivity 72
4.4.1 Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS) Experimental procedure 73
4.4.2 Mott-Schottky Measurements of an Intact Surface 73
4.4.3 Mott-Schottky Measurements of a Defective Surface 75
4.5 Injection of Dislocations 78
4.5.1 Differences between Nano-Indentation and Nano-Scratching 79
4.5.2 The Elastic Model: Application on a Concrete Case and Discussion 85
4.6 Conclusions 89

Chapter 5 Electrochemical Patterning of Silicon Induced by Nano-Scratching 93
5.1 Microstructure and Mechanical Analysis of the Micro-Scratches 95
5.1.1 Load-Penetration-Displacement Curves 96
5.1.2 Scanning Electron Microscopy Investigation of Micro-Scratched Surface 97
5.1.3 Raman Investigation of the Micro-Scratches 100
5.1.4 Transmission Electron Characterization of the Underlying Material 103
5.1.5 Discussion and Application of a Contact Mechanics Model 105
5.2 Selective Electrochemical Dissolution of the Micro-Scratches 110
5.2.1 Electrochemical Etching of Micro-Scratches 110
5.2.2 Micrometer Size Dissolved Grooves 113
5.2.3 Raman Investigation of the Dissolved Grooves 115
5.2.4 Discussion of the Microstructure Analysis 116
5.3 Maskless Copper Deposition on Pre-Scratched Pre-Etched Silicon Surfaces 118
5.3.1 Establishment of an Electrochemical Processing Window for Copper Deposition 118
5.3.2 Selective Copper Deposition into Micro-scratches 120
5.3.3 Discussion on the Copper Deposition 123
5.4 High Aspect Ratio Dissolved Grooves using Backside Illumination 125
5.4.1 Electrochemical Behavior of n-type and p-type Si under Back-Side Illumination 127
5.4.2 High Aspect Ratio Channels Formation Triggered at Surface Defects 129
5.4.3 Control of the Dissolution Reaction by Adjusting the Illumination Intensity 133
5.5 Conclusions 135

Chapter 6 General Conclusions 141
Kapitel 1 – Einführung 1
Kapitel 1
Einführung
Ein starker Fokus der Wissenschaft liegt zurzeit auf der Verkleinerung von Materialstrukturen in
den Nanometerbereich. Aktuelle Forschungsarbeiten beschäftigtigen sich mit den Eigenschaften
von Materialien, die durch Quanteneffekte nur im Nanometerbereich auftreten. Neue elektronische
Bausteine und elektromechanische Mikrosysteme bedürfen kleinerer Dimensionen und höherer
Funktionalität, um eine höhere Leistung und Integrationsdichte zu erreichen. Die Anwendung von
Nanomaterialien in modernen Geräten ist stark mit der Halbleiterindustrie verbunden, die sich vor
allem auf Silizium stützt. Die Funktionalisierung (spezifische elektronische, magnetische,
chemische und optische Eigenschaften) von Siliziumoberflächen ist darum ein wichtiges Thema in
der Forschung.
In den vergangenen Jahren ist die Elektrodeposition von Metallen in einigen Gebieten der
1
Mikroelektronik und der Mikroingenieurindustrie auf grosses Interesse gestossen . Zum Beispiel
werden heutzutage elektrodeponierte Kupferdrähte, nur ein paar zehn Nanometer breit, als
elektrische Verbindungen in der neusten Generation von Mikroprozessoren verwendet. Auch
werden Teile von elektromechanischen Mikrostrukturen durch elektrodeponiertes Nickel in
2Kombination mit UV Lithographie hergestellt .
Seit der Entdeckung von Licht-emittierendem porösem Silizium, das durch elektrochemisches
Ätzen hergestellt wird, haben sich viele Untersuchungen mit diesem Material und seinen
3,4potentiellen Anwendungen befasst . Die meisten dieser Studien haben sich mit dem Licht-
5emittierenden Effekt befasst . Trotz einer ansteigenden Anzahl von Studien auf dem Gebiet der
6,7
Poren ist deren Wachstum und Entstehungsprozess noch immer nicht vollständig verstanden .
Dies gilt auch für andere Halbleitematerialien wie zum Beispiel III-V Verbindungen.
Lokale Abscheidung von Metallen und das Ätzen von Halbleitern geschieht normalerweise mit
verschiedenen, indirekten Methoden. Für die Metallabscheidung ist dies typischerweise
Photolithographie kombiniert mit physikalischer oder chemischer Dampfphasenabscheidung (PVD,
respektive CVD), Molekularstrahlepitaxie und Elektrodeposition. Ätzprozesse von Halbleitern
beinhalten Techniken wie chemisches Ätzen, elektrochemisches Ätzen und reaktives Ionenätzen
(oder Tiefenätzen). UV-Lithographie kann nur im Mikro- und Submikrometerbereich angewendet
werden. Zukünftige Generationen von Strukturen im Nanometerbereich, die durch
Maskenlithographie hergestellt werden sollen, werden teure Röntgenstrahlungsinstallationen
2 Kapitel 1 – Einführung
voraussetzen. Dazu müssen neue Maskenmaterialien, welche den Röntgenstrahlen standhalten,
entwickelt werden.
Durch den Kostenanstieg photolithographischer Geräte gewinnen zurzeit neue Methoden an
Bedeutung, wie zum Beispiel die direkte Strukturierung von Oberflächen. Die Idee dabei ist, die
Oberfläche mechanisch oder durch Bestrahlung mit einem Elektronen- oder Ionenstrahl direkt zu
aktivieren. Dabei wird grundsätzlich auf drei Gebieten geforscht: 1) Die Elektronen- /
Ionenstrahlabscheidung (EBD/IBD), 2) die Nano-Imprintlithographie (NIL), und 3) die Ritz-
Methode. Auf den zwei ersten Gebieten wird zurzeit intensiv geforscht. Der letzte Punkt wird als
Technik betrachtet, in der um den Ritz unkontrollierbare Phänomene auftreten wie Rissbildung,
Partikelerzeugung und Versetzungsnukleation. Der gemeinsame Nachteil aller direkten
Strukturierungsmethoden ist die tiefe Prozessgeschwindigkeit verglichen mit konventioneller
Photolithographie, da es sich um “serielle” Prozesse handelt. In anderen Worten: Wie mit einem
Stift auf Papier müssen alle Regionen nacheinander bearbeitet werden. Mittlerweile werden als
Kombination die sensibelsten Strukturen durch serielle Verfahren und weniger kritische Bereiche
mit konventioneller Photolithographie hergestellt. Neue Technologien, wie zum Beispiel Arrays
von AFM-Cantilevern als Leseköpfe für magnetische Speichermedien, sind heutzutage in
Entwicklung, um die Datendichte zu erhöhen. Solche Werkzeuge können die Geschwindigkeit von
8Ritzprozessen zur Strukturierung von Oberflächen erhöhen . Darum wird in dieser Arbeit
vorgeschlagen, sich auf die Ritztechnik zu konzentrieren.
9,10,11,12,13 14Ionenstrahl- , Elektronenstrahl- und Rastersondenmikroskopie wie die
15,16 17Rasterkraftmikroskopie oder Rastertunnelmikroskopie wurden auf ihre Anwendbarkeit für
direkte Nanostrukturierung untersucht. Auf Rasterkraftmikroskopie basierende Techniken wurden
angewendet, um nano-mechanische und nano-tribologische Eigenschaften von Oberflächen zu
18untersuchen, oder um Oberflächen (z.B. in Ritz- und Abnützungsexperimenten) zu bearbeiten .
Dieser Dissertation vorangegangene Studien haben gezeigt, dass es möglich ist, Metalle
19elektrochemisch selektiv in Nanoritzen auf Silzumwafern abzuscheiden . Mit dieser Technik
wurden auf Silizium erfolgreich Kupfer-, Palladium- und Golddrähte mit Nanometerauflösung
hergestellt. Für die Nanoritze wurde eine Diamantspitze eines Rasterkraftmikroskops benutzt, mit
der 10 nm thermisches Siliziumoxyd (SiO ) auf Silizium entfernt wurde. In den geritzten Rillen 2
wurde eine hohe Selektivität der Abscheidung erreicht. Die Abscheidung wurde durch einen
Maskeneffekt des isolierenden Siliziumoxydes erklärt. Alternativ dazu zeigte sich in dieser Arbeit,
dass Defekte, die auf dem Silizium durch den Ritzprozess entstanden, zu einer höheren Reaktivität Kapitel 1 – Einführung 3
führen, d.h. Kupfer konnte präferentiell an Defektstellen abgeschieden werden. Dieser Punkt wurde
jedoch nicht weiter verfolgt.
In dieser Dissertation wurde die Auswirkung von Defekten, die vom nano-Ritzen in Halbleitern
hervorgerufen werden untersucht. Lokale elektrochemische Prozesse wie das Ätzen und die
Metallabscheidung in nano-Ritzen werden untersucht. Genauer beschreiben wir die Lokalisierung
einer elektrochemischen Reaktion auf einem geritzten Gebiet (auch Selektivität genannt). Dazu
braucht es eine interdisziplinäre Betrachtungsweise, welche die Mechanik des nano-Ritzens mit der
Elektrochemie von Halbleiteroberflächen verbindet. Wir versuchen 1) den Schlüsselmechanismus
der Entstehung von Defekten beim Ritzen von Indium-Phosphid (InP) und Silizium (Si) zu
verstehen, 2) im Nanometerbereich zu ritzen und 3) den Deformationsprozess auf dieser Skala zu
verstehen. Schliesslich werden der Einfluss von Defekten und der elektrochemischen Parameter auf
die Selektivität untersucht und mögliche Anwendungen werden vorgeschlagen.
Diese Dissertation ist in sechs Kapitel unterteilt: Diese Einführung, eine Literaturrecherche,
einen experimentellen Teil, Resultate von Indiumphosphid, Resultate von Silizium und allgemeine
Schlussfolgerungen. Die Literaturrecherche von Kapitel 2 fasst die heutigen Kentnisse in der
Kontaktmechanik, dem nano-Ritzen und der mechanischen Eigenschaften von Indiumphosphid und
Silizium zusammen. Die experimentelle Arbeit in Kapitel 3 beinhaltet die Probenpräparation, die
verwendeten Geräte und den experimentellen Aufbau sowie die Charakterisierungswerkzeuge.
Vorversuche an InP haben gezeigt, dass dessen Deformation deutlich weniger komplex ist als die
von Silizium. So erschien es einfacher, InP zuerst zu untersuchen. Deshalb werden in Kapitel 4
zuerst erste Resultate selektiver Porosifizierung auf nano-geritztem Indiumphosphid präsentiert. In
Kapitel 5 werden die Resultate derselben Experimente auf Silizium gezeigt. Als Abschluss werden
Schlussfolgerungen zusammen mit zukünftigen Arbeiten und Perspektiven dargelegt.

Bemerkung:
Am Ende jedes Kapitels findet der Leser die dazugehörigen Referenzen. Der Einfacheit halber
beginnt die Nummerierung der Bilder in jedem Kapitel neu. Für Kreuzverweise zu Bildern anderer
Kapitel ist das entsprechende Kapitel immer angegeben.



4 Kapitel 1 – Einführung

1
P. C. Andricacos, C. Uzoh, J. O. Dukovic, J. Horkans, H. Deligianni: Damascence copper electroplating for chip
interconnections, IBM J. Res. Develop. 42(1998), 567-574
2
H. Lorenz, M. Despont, N. Fahrni, J. Brugger, P. Vettiger, P. Renaud: High-aspect-ratio, ultrathick, negative-tone
near-UV photoresist and its applications for MEMS, Sens. Actuators A 64(1998), 33-39
3
L. T. Canham: Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers, Appl.
Phys. Lett. 57(1990), 1046-1048
4
V. Lehmann, U. Gösele: Porous silicon formation – a quantum wire effect, Appl. Phys. Lett. 58(1991), 856-858
5
A. G. Cullis, L. T. Canham, P. D. J. Calcott: The structural and luminescence properties of porous silicon, J. Appl.
Phys. 82(1997), 909-965
6
G. Hodes : Electochemistry of Nanomaterials (Wiley-VCH, Weinheim 2001)
7
H. Föll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse: Formation and application of porous silicon, Mat. Sci. Eng.
39(2002), 93-141
8
U. Dürig, G. Cross, M. Despont, U. Drechsler, W. Häberle, M. I. Lutwyche, H. Rothuizen, R. Stutz, R. Widmer, P.
Wettiger, G. K. Binning, W. P. King, K. E. Goodson: “Millipede“ –an AFM data storage system at the frontier of
nanotribology, Tribol. Lett. 9(2000), 25-32
9
P. Schmuki, L. E. Erickson: Direct micropatterning of Si and GaAs using electrochemical development of focused ion
beam implants, App. Phys. Lett. 73(1998), 2600-2602
10
P. Schmuki, L. E. Erickson, D. J. Lockwood, J. W. Fraser, G. Champion, and H. J. Labbé: Formation of visible light
emitting porous GaAs micropatterns, Appl. Phys. Lett. 72(1998), 1039-1041
11
P. Schmuki, L. E. Erickson, and D. J. Lockwood: Light emitting micropatterns of porous Si created at surface
defects, Phys. Rev. Lett. 80(1998), 4060-4063
12
P. Schmuki, and L. E. Erickson: Selective high-resolution electrodeposition on semiconductor defect patterns, Phys.
Rev. Lett. 85(2000), 2985-2988
13
U. Schlierf, G. Champion, G. I. Sproule, S. Moisa, J. W. Fraser, M. J. Graham, P. Schmuki: Selective porosification
of n-InP(100) after focused ion beam implantation of Si++, Phys. Stat. Sol. (a) 197(2003), 180-185
14
T. Djnizian, L. Santinacci, P. Schmuki: Factor in Electrochemical Nanostructure Fabrication Using Electron-Beam
Induced Carbon Masking, J. of Electrochem. Soc. 151(2004), 175-180
15
L. Santinacci, T. Djenizian, and P. Schmuki: Nanoscale patterning of Si(100) surfaces by scratching through the
native oxide layer using atomic force microscope, App. Phys. Lett. 79(2001), 1882-1884
16
J. Michler, R. Gassilloud, P. Gasser, L. Santinacci, P. Schmuki: Defect-free AFM-scratching at the Si/SiO -interface 2
used for selective electrodeposition of nanowires, Electrochem. Solid-State Lett. 7(2004), 41-43
17
D. M. Kolb, R. Ullmann, T. Will: Nanofabrication of small copper clusters on gold(111) electrodes by a scanning
tunneling microscope, Science 275(1997), 1097-1099
18 nd
B. Bhushan: Handbook of Micro/Nano Tribology, 2 Ed., (CRC Press, New York, 1999)
19
L. Santinacci, Selective reactions at semiconductor surfaces induced by AFM – scratching with diamond tips, Thesis
work (2002) presented at EPFL Lausanne, Switzerland

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