Caractéristiques diodes et transistor

Fourier Grenoble

Description

Niveau: Supérieur

• mémoire

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ Caractéristiques diodes et transistor 1 Plate-forme 3E (Électricité, Electronique, Electrotechnique) C.E.S.I.R.E. – Université J.Fourier Grenoble Caractéristiques. Diodes et transistors. Annexe 1 Appareils utilisés. Annexe 2 Caractéristiques des composants TRACE DE CARACTERISTIQUES - DIODES ET TRANSISTORS 1 - Caractéristique de diodes Rappel On étudiera des diodes au silicium (du type 1N 4004) ou au germanium et des diodes électroluminescentes (jaune, verte, rouge ). Le courant dans les diodes est limité à 15mA. La puissance des diodes de redressement et zener utilisées est limitée à 1 W. Schéma : Montage On alimentera le montage avec une tension E continue constante (E= 15 V ) Déterminer la résistance de protection R à introduire dans le circuit. Pour le tracé de la caractéristique point par point, on fera varier la résistance R' en série avec la diode. Il est conseillé de disposer toutes les résistances prévues en barrette sur la plaquette de montage et de déplacer les fils connecteurs.

• résistance


• potentiel de référence


• transistor


• source de tension


• collecteur


• tension


• courant


• équation des mailles pour les mailles


• point correspondant sur la courbe


• caractéristiques diodes

Sujets

• Mémoire
• Grenoble
• Résistance
• Transistor
• Source de tension
• Collecteur
• Tension
• Courant

Informations

• Publié par: profil-nechor-2012
• Nombre de lectures: 109
• Langue: Français

Extrait

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Caractéristiques diodes et transistor 1

Plate-forme 3E (Électricité, Electronique, Electrotechnique) C.E.S.I.R.E. – Université J.Fourier Grenoble

Caractéristiques. Diodes et transistors.

Annexe 1

Appareils utilisés.

Annexe 2

Caractéristiques des composants

TRACE DE CARACTERISTIQUES - DIODES ET TRANSISTORS

1 - Caractéristique de diodes

Rappel

On étudiera des diodes au silicium (du type 1N 4004) ou au germanium et des diodes électroluminescentes

(jaune, verte, rouge ).

Le courant dans les diodes est limité à 15mA.

La puissance des diodes de redressement et zener utilisées est limitée à 1 W.

Schéma :

Montage

On alimentera le montage avec une tension E continue constante (E= 15 V ) Déterminer la résistance de

protection R à introduire dans le circuit. Pour le tracé de la caractéristique point par point, on fera varier la

résistance R' en série avec la diode. Il est conseillé de disposer toutes les résistances prévues en barrette

sur la plaquette de montage et de déplacer les fils connecteurs.

Mesures

Tracer la caractéristique d'une diode point par point en mesurant la tension aux bornes de la diode et le

courant dans le circuit (tension aux bornes de R pour différentes valeurs de R’).

Interprétation

Déterminer la tension seuil, et

la résistance dynamique de la diode en un point. Vérifier qu'une des

branches de la caractéristique est une exponentielle. On pourra utiliser un logiciel de traitement de données.

Conclusion

Compléments

Faire le même type de mesures en utilisant un système d’acquisitions et traitement de données.

Visualiser à l'oscilloscope cette caractéristique ou celle d'une autre diode (en particulier une diode Zener).

Comparer les tensions seuil de différentes diodes (germanium, silicium, électroluminescente. Conclusion

P

N

P

N

R

E

R’

F

i

g

u

r

e

1

.

S

c

h

é

m

a

d

e

p

o

l

a

r

i

s

a

t

i

o

n

d

’

u

n

e

d

i

o

d

e

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Caractéristiques diodes et transistor 2

Plate-forme 3E (Électricité, Electronique, Electrotechnique) C.E.S.I.R.E. – Université J.Fourier Grenoble

2 - Caractéristiques du transistor

On étudiera les caractéristiques d'un transistor 2N2219A (ou un transistor BD 137) considéré comme un

dipôle (collecteur/émetteur) commandé par le courant de base.

Voir en Annexe quelques indications sur la notion de transistor et les limites en courant et puissance des

transistors utilisés.

Montage

Le montage de la figure 2 sera appelé circuit de polarisation par la suite.

Figure 2 - Circuit de polarisation d'un transistor

Détermination des paramètres :

- Ecrire l'équation des mailles pour les mailles base-émetteur et émetteur-collecteur du montage de la

Figure 2.

- Déterminer les valeurs minimales de R

B

et R

C

pour que le montage fonctionne en toute sécurité

(transistor et résistances). On introduira une valeur minimale pour R

B

dans le circuit au moyen d'une

résistance étalon

permanente R

T

.

Mesures :

- Pour une valeur de quelques k

Ω

de R

C

, mettre en évidence les états bloqué et saturé du transistor. Pour

ce faire, on mesurera les tensions base-émetteur V

BE

et collecteur-émetteur V

CE

pour ces états et on

interprétera les résultats au moyen de la loi des mailles:

E = (R

B

+ R

T

) I

B

+ V

BE

E = R

C

I

C

+ V

CE

- Tracer la caractéristique d'entrée-sortie du transistor I

C

en fonction de

I

B

pour une valeur de R

C

choisie

de façon à atteindre la saturation.

- Tracer les caractéristiques I

C

en fonction de V

CE

pour 3 ou 4 valeurs de R

B

en faisant varier la

résistance de collecteur R

C

.

Interprétation :

- En déduire le gain en courant du transistor.

- Indiquer sur les caractéristiques les régions correspondant au transistor bloqué, saturé et en régime

linéaire.

- Indiquer la droite de charge du transistor pour une valeur donnée de R

C

sur le réseau de caractéristiques

I

C

= f (V

CE

), ainsi que le point de fonctionnement du transistor pour une valeur donnée de R

B

. Indiquez le

point correspondant sur la courbe.

E = 15 volts

R

B

varie de 0 à 1

Μ

Ω

B : la base

C : le collecteur

E : l'émetteur

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Caractéristiques diodes et transistor 3

Plate-forme 3E (Électricité, Electronique, Electrotechnique) C.E.S.I.R.E. – Université J.Fourier Grenoble

Annexe 1 - Appareils utilisés

Tous les appareils utilisés, qu'ils soient destinés à fournir une tension (alimentations), un signal périodique

(générateurs), ou à examiner une tension périodique ou non

(oscilloscopes) possèdent une masse. Les

tensions délivrées ou mesurées sont des différences de potentiel par rapport à un potentiel de référence

(celui de la masse) qui est généralement le potentiel de la carcasse de l'appareil. Cette masse est reliée à la

prise de terre du secteur. C'est une obligation légale pour des raisons de sécurité. Elle n'est

malheureusement pas toujours respectée dans les faits. Il en résulte que, en principe, tous les appareils ont

le même potentiel de référence. Cette masse, matérialisée par une borne noire ou par le conducteur

extérieur des câbles coaxiaux, peut être à l'origine de disfonctionnements dans les montages :

Si les masses de deux appareils sont reliées respectivement à deux points A et B d'un circuit

quelconque, ces deux points sont au même potentiel, c'est à dire en court-circuit.

Les deux voies d'un oscilloscope ont le même potentiel de référence : inutile de tenter de

mesurer les d.d.p. aux bornes de deux portions d'un circuit si ces deux portions n'ont pas un

point commun dont le potentiel sera le potentiel de référence.

Pour isoler la masse d'un appareil de la terre, c'est à dire des autres masses, on peut utiliser un

transformateur d'isolement : en général le secondaire d'un transformateur n'est pas relié à la

carcasse ; on parle de masse flottante.

Avant d'appliquer une source de tension à un montage, i1 est conseillé d'observer la tension délivrée à

l'oscilloscope : composante continue et composante alternative. On en profitera pour se remettre en

mémoire le fonctionnement de l'oscilloscope : calibrage des voies, modes AC et DC, positionnement de la

ligne de base, synchronisation, fonctionnement en bicourbe ou en XY, etc...

Annexe 2 - Diodes et Transistors

Le Transistor à jonction

Le transistor est avant tout, du point de vue de l'électronique, une source de courant I

C

commandée par un courant, le courant de base I

B

.

Un transistor est constitué de deux jonctions accolées dos-à-dos. Il y a donc deux types de transistors:

NPN et PNP, suivant le dopage de la région centrale appelée base. Les régions extérieures sont appelées

collecteur et émetteur et ne sont pas interchangeables car elles ont des dopages différents.

Deux jonctions tête-bêche ne laisseraient passer aucun courant, car en opposition. Dans le

transistor, la base est, par construction, très étroite et c'est cette proximité qui permet l'effet dit "effet

transistor": le passage d'un courant dans la jonction base-émetteur a pour effet d'abaisser la barrière de

potentiel de la jonction base-collecteur qui devient conductrice "en inverse", c'est-à-dire qu'elle laisse

passer un courant de même sens que le courant base-émetteur, pourvu qu'une tension convenable existe

entre le collecteur et l'émetteur. Ce courant, qui s'ajoute au courant base-émetteur est important et

proportionnel au courant base-émetteur.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Caractéristiques diodes et transistor 4

Plate-forme 3E (Électricité, Electronique, Electrotechnique) C.E.S.I.R.E. – Université J.Fourier Grenoble

- On étudiera le circuit de polarisation pour un transistor 2N2219A (ou un transistor BD 137) considéré

dans un premier temps comme un dipôle (collecteur/émetteur) commandé par le courant de base.

- Lorsque le courant de base est nul, aucun courant ne traverse le dipôle collecteur/émetteur: on dit que le

transistor est à l'état bloqué. Lorsqu'on augmente le courant de base au delà d'une certaine limite, le

courant de collecteur cesse d'augmenter: on dit que le transistor est à l'état saturé, qui est caractérisé par

V

CE

de l'ordre de 0 Volt. Entre ces deux limites, le courant de collecteur est proportionnel au courant de

base.

Les transistors utilisés lors de ces manipulations possèdent un gain en courant de 100 à 300. Le transistor

peut dissiper une puissance de 600 mW au plus et le courant de collecteur ne doit pas dépasser 600 mA.

Pour un transistor de type 2N2219A, on limitera le courant de collecteur à 200 mA pour éviter son

échauffement étant donné qu'il n'est pas monté sur un refroidisseur à ailettes. Le potentiel de diffusion de la

jonction base-émetteur est de l'ordre de 0,6 Volt. La tension de claquage collecteur/émetteur est de l'ordre

de 30 V, la tension de claquage base/émetteur de l'ordre de 5 V. Pour les caractéristiques des autres types

de transistor, on se reportera aux notices des constructeurs.

schéma et symbole :

transistor NPN

transistor PNP

E

B

C

E

C

B

E

B

E

C

B