Ab initio theory of point defects and defect complexes in SiC [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Alexander Mattausch

Alexander Mattausch

Description

Ab initio-Theory of Point Defectsand Defect Complexes in SiCDen Naturwissenschaftlichen Fakultätender Friedrich Alexander Universität Erlangen NürnbergzurErlangung des Doktorgradesvorgelegt vonAlexander Mattauschaus AugsburgAls Dissertation genehmigt von den Naturwissenschaftlichen Fakultätender Universität Erlangen NürnbergTag der mündlichen Prüfung: 7. 7. 2005Vorsitzender derPromotionskommission: Prof. Dr. D. P. HäderErstberichterstatter: Prof. Dr. O. PankratovZweitberichterstatter: Prof. Dr. E. PehlkeContents0. Zusammenfassung 11. Introduction 51.1. Defects and diffusion in SiC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81.2. Identification of defects by their vibrational modes . . . . . . 101.3. Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122. Calculation of defect properties using density functional theory 152.1. Calculation of ground state properties . . . . . . . . . . . . . . 162.1.1. Investigation of defects . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172.1.2. Formation energies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212.1.3. Ionisation levels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232.1.4. Dissociation energies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 242.2. Migration barriers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252.3. Vibrational spectra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283. Structural, electronic and vibrational properties of SiC 313.1. Structural properties and polytypism . .

Sujets

• Physik

Informations

• Publié par: friedrich-alexander-universitat_erlangen-nurnberg
• Publié le: 01 janvier 2005
• Nombre de lectures: 32
• Langue: English
• Poids de l'ouvrage: 8 Mo

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