Contribution au développement de techniques de stimulation laser dynamique pour la localisation de défauts dans les circuits VLSI
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Description

Sous la direction de Dean Lewis, Philippe Perdu
Thèse soutenue le 13 avril 2011: Bordeaux 1
L’objectif principal du projet est d’étudier les techniques d’analyses de défaillances des circuits intégrés VLSI basées sur l’emploi de laser. Les études ont été effectuées sur l’équipement à balayage laser MERIDIAN (DCGSystems) et le testeur Diamond D10 (Credence) disponible au CNES. Les travaux de thèse concernent l’amélioration des techniques dynamiques dites DLS comme « Dynamic Laser Stimulation ». Les techniques DLS consistent à perturber le fonctionnement d’un circuit intégré défaillant par effet photoélectrique ou effet photothermique, en fonctionnement dynamique, à l’aide d’un faisceau laser continu balayant la surface du circuit. Un faisceau laser modulé avec des impulsions supérieures à la nanoseconde et de façon synchrone avec le test électrique à l’aide d’un signal TTL peut être également avantageusement utilisé pour localiser des défauts non accessibles par des techniques purement statiques (OBIRCh, OBIC etc.). L’analyse de la réponse des paramètres électriques à la perturbation laser conduit à une identification de l’origine de la défaillance dynamique. L’optimisation des techniques DLS actuelles permet d’augmenter le taux de succès des analyses de défaillance et d’apporter des informations difficilement accessibles jusqu’alors, qui permettent la détermination de la cause racine de la défaillance.Dans un premier temps, le travail réalisé a consisté en l’amélioration du processus d’analyse des techniques DLS par l’intégration étroite avec le test de façon à observer tout paramètre électrique significatif lors du test DLS. Ainsi, les techniques de « Pass-Fail Mapping » ou encore les techniques paramétriques de localisation de défauts ont été implémentées sur le banc de test constitué du Meridian et du D10. La synchronisation du déroulement du test opéré par le testeur avec le balayage laser a permis par la suite d’établir des méthodologies visant à rajouter une information temporelle aux informations spatiales. En effet, en utilisant un laser modulé nous avons montré que nous étions capable d’identifier avec précision quels sont les vecteurs impliqués dans le comportement défaillant en modulant l’éclairement du faisceau laser en fonction de la partie de la séquence de test déroulée. Ainsi nous somme capable de corréler la fonction défaillante et les structures du CI impliquées. Cette technique utilisant le laser modulé est appelée F-DLS pour « Full Dynamic Laser Stimulation ». A l’inverse, nous pouvons connaitre la séquence de test qui pose problème, et par contre ne pas connaitre les structures du CI impliquées. Dans l’optique de rajouter cette l’information, il a été développé une technique de mesure de courant dynamique. Cette technique s’est avérée efficace pour obtenir des informations sur le comportement interne du CI. A titre d’exemple, prenons le cas des composants « latchés » où les signaux sont resynchronisés avant la sortie du composant. Il est difficile, même avec les techniques DLS actuelles, d’avoir des informations sur une dérive temporelle des signaux. Cependant l’activité interne du composant peut être caractérisée en suivant sur un oscilloscope l’évolution du courant lorsque le circuit est actif, sous la stimulation laser. L’information sur la dérive temporelle peut être extraite par observation de cette activité interne.Enfin, ces techniques de stimulation laser dynamique, ont également prouvé leur efficacité pour l’étude de la fiabilité des CI. La capacité de ces techniques à détecter en avance d’infimes variations des valeurs des paramètres opérationnels permet de mettre en évidence l’évolution des marges de ces paramètres lors d’un processus de vieillissement accéléré. L’étude de l’évolution de la robustesse des CI face aux perturbations externes est un atout majeur qu’apportent les techniques DLS à la fiabilité.Les méthodologies développées dans cette thèse, sont intégrées dans les processus d’analyse et de caractérisation de CI au laboratoire. Nous avons exposé la forme générale de ces méthodologies mais malheureusement pour des raisons de confidentialités, nous ne sommes pas en mesure d’exposer les cas réels.
-Stimulation laser
-Circuit intégré
The principal objective of the project is to investigate laser based techniques for failure analysis of VLSI integrated circuits. The investigations will be performed on the DCGSystems’ Meridian laser scanning microscope coupled with the Credence’s Diamond D10 tester available at CNES. This study was interested more specifically in the improvement of dynamic laser stimulation techniques said DLS like Dynamic Laser Stimulation. DLS techniques consists in modifying the operation of a dynamically failing integrated circuit by photoelectric effect or photothermal effect using a continuous laser beam sweeping the surface of the circuit. A laser beam modulated in the nanosecond range synchronously with the electrical test through a TTL signal can also be advantageously used. Analysis of the electrical parameters response to the laser disturbance leads to an identification of the dynamic failure origin. The optimization of current DLS techniques will increase the failure analyses success rate and bring information hardly accessible by other means, which allows determining the failure root cause. The work performed was the improvement of the DLS process flow by closely integrating the test to monitor any relevant electrical parameters upon DLS. The « Pass-Fail Mapping » technique and the parametric techniques were implemented on the test tools combining the D10 and the Meridian. The synchronization of the test with the laser scan allows establishing methodologies and techniques in order to add timing information to the defect localisation. Indeed, by modulating the laser beam depending on the test pattern sequences, we show our capability to identify precisely which are the vectors responsible for the IC defective behaviour. We are able now to correlate the defective IC functions with the IC structures involved. This technique is known as F-DLS for Full Dynamic Laser Stimulation.In some cases, we know when the failure occurs in the test pattern but we ignore which IC structures are involved. So, we also developed a dynamic current measurement under laser stimulation technique. This technique proved to be efficient to obtain information about the internal IC behaviour. As an example, for the latched component which signals are synchronised just before the outputs, it is hard to measure shift in the signal propagation. Nevertheless, the IC internal activities can be characterized by monitoring on a scope the current variations under laser stimulation when the IC is activated. The information about the shift in the signal propagation could be extracted then by observing of the IC internal activities.Finally, these DLS techniques proved their efficiency for device qualification for reliability issues. Their accuracy allows early detection of operational parameter tiny variations. This is used to highlight electrical parameter margin evolutions during accelerated aging process. DLS techniques demonstrate their potential to deal with the IC robustness evolution facing external perturbation for reliability purposes.The techniques and methodologies developed during this work have been successfully integrated in the IC analysis and characterisation process in the laboratory. We exposed these techniques but the main case studies remain confidential.
-Laser stimulation
-Integrated circuit
Source: http://www.theses.fr/2011BOR14252/document

Sujets

Informations

Publié par
Nombre de lectures 42
Langue Français
Poids de l'ouvrage 3 Mo

Extrait

THESE
PRESENTEE A
L’UNIVERSITE de BORDEAUX 1
ECOLE DOCTORALE DES SCIENCES PHYSIQUES ET DE L’INGENIEUR
Par
Amjad DEYINE
POUR OBTENIR LE GRADE DE
DOCTEUR
SPECIALITE : Electronique
--------------------
CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DE TECHNIQUES DE STIMULATION
LASER DYNAMIQUE POUR LA LOCALISATION DE DEFAUTS DANS LES
CIRCUITS VLSI
--------------------
Soutenue le : 13 avril 2011


Après avis de :
MM. Jean-Michel PORTAL Professeur Universités de Provence Rapporteur
Philippe DESCAMPS Professeur LaMIPS, ENSICAEN Rapporteur

Devant la commission d’examen formée de :
MM. Jean-Michel PORTAL Professeur Universités de Provence Rapporteur
Philippe DESCAMPS Professeur LaMIPS, ENSICAEN Président
Dean LEWIS Professeur IMS – Université de Bordeaux I Directeur
Philippe PERDU Expert Senior – HDR CNES Co-Directeur
Vincent POUGET Chargé de recherche IMS – Université de Bordeaux I Examinateur
Frédéric DARRACQ Maître de conférence IMS – Université de Bordeaux I Examinateur

2
Remerciements

Je remercie Patrick Saunier et Francis Pessecq et de m’avoir accueillie dans le service
DCT/AQ/LE du CNES, ainsi qu’Alain Wislez pour la partie THALES.
Je tiens également à remercier mon directeur de thèse, Dean Lewis de l’Université de
Bordeaux I ainsi que mon encadrant technique au CNES, Philippe Perdu.
A Philippe et à Kevin, merci pour leur aide technique extrêmement précieuse pendant ces …
4 ans. J’aimerai également associer Felix Beaudoin, pour m’avoir mis le pied à l’étrier en
analyse de défaillance et avoir corrigé deux de mes articles aussi consciencieusement.
A la Novateam (de NovaMEMS), et spécialement à mes collègues de bureau, Jérémie,
Djemel, Guilhem, Adrien et Cédric, un grand merci. C’est peut être pour ça que je suis restée
4 ans, je me sentais comme chez moi !
A mes collègues de THALES, ceux qui disent toujours « bonjour » avec le sourire. En
particulier la petite équipe avec laquelle j’ai partagé beaucoup de déjeuners, et de discussions
diverses et variées: Christophe (dit « Tof »), Vanessa, Gérald et Franck.
Sans oublier, un grand merci à mes collègues du CNES: Guy, Myriam, Jean-Michel, Daniel,
Frédéric .B, Frédéric .C, Sandrine, Delphine et Jean, pour leur gentillesse.
Je vais m’arrêter là. Les derniers remerciements, et pas les moindres sont pour Hélène et
Florie. Au Bad’z, Dip’s et Roulotte! J’espère que les traditions ne se perdront pas !
3
4 TABLE DES MATIERES

Introduction .............................................................................................................................. 9
I. Les techniques de stimulation laser pour l’analyse de defaillance des CI ............... I-14
I.1. Analyse de défaillance ......................................................................................................... I-14
I.2. Les techniques optiques laser utilisées en analyse de défaillance .... I-15
I.2.1. Les propriétés optiques du silicium ................ I-16
I.2.2. La stimulation laser ........................................................................................................ I-19
I.2.2.1. Stimulation photoélectrique .................................. I-20
La photo génération des porteurs libres ............................................................ I-20
L’effet photoélectrique ..................................................................................... I-20
I.2.2.2. Stimulation photo thermique ................................. I-21
La variation de résistance ................................................. I-22
L’effet Seebeck ................................................................................................. I-22
I.2.3. Les techniques statiques et leurs limitations .................................. I-23
I.2.3.1. Les techniques statiques TLS I-24
Les techniques SLS utilisant la variation de résistance : les techniques OBIRcH et TIVA ............. I-24
La technique SLS « Seebeck Effect Imaging » (SEI) ...................................................................... I-25
I.2.3.2. Les techniques statiques PLS ................................ I-26
I.2.3.3. Les limitations des techniques statiques ................................................................................ I-27
I.3. Les techniques de stimulation laser dynamiques (DLS) ................... I-28
I.3.1. Présentation du banc de test ........................................................................................... I-28
I.3.1.1. Microscopie à balayage laser [WIL94, JUS94] ..................................... I-28
I.3.1.2. Le test électrique ................................................................................... I-31
I.3.1.3. Gestion des programmes de commande du CI par le testeur ................................................ I-31
I.3.1.1. Le test fonctionnel ................. I-32
I.3.1.2. Le shmoo ............................................................................................................................... I-33
I.3.1.3. Le montage. ........................... I-34
I.3.2. Les techniques d’analyse « Pass-Fail Mapping ». .......................... I-38
I.3.2.1. Le principe général ................................................................................................................ I-38
I.3.2.1. L’analyse fonctionnelle par seuil ou « Pass-Fail Mapping » I-39
I.3.2.2. Le « Pass-Fail Mapping » non synchronisé ........... I-40
I.3.2.3. Le « Pass-Fail Mapping » synchronisé .................................................................................. I-41
I.3.3. Les techniques paramétriques ........................................................ I-44
I.4. Conclusion du chapitre ........................................................................ I-47
II. Introduction de la composante temporelle avec la technique « Full Dynamic Laser
Stimulation » (F-DLS) ........................................................................................................ II-50
II.1. Introduction ...................... II-50
5 TABLE DES MATIERES

II.2. Les limitation des techniques DLS. ................................................................................. II-51
II.3. Les choix fondamentaux pour le F-DLS ......... II-53
II.3.1. Le Laser impulsionnel et le laser modulé. .................................................................. II-53
II.4. Un exemple d’application : determination du premier vecteur défaillant dans une
séquence de vecteurs de test ....................................... II-55
II.4.1. Contexte de l’exemple. ................................................................ II-55
II.4.2. Exemple de modulation laser associée avec une méthode de dichotomie pour de
recherche du premier vecteur « fail » ....................................................................................... II-55
II.5. L'implémentation du F-DLS sur notre système commercial ....................................... II-56
II.5.1. La modulation du laser : le montage et ses limitations temporelles ........................... II-56
II.5.1.1. Le montage expérimental. ................................................................... II-57
II.5.1.2. Considérations relatives aux limites temporelles de notre montage ................................... II-59
II.5.2. Caractérisation temporelle de la réponse du laser modulé .......... II-59
II.5.1. La synchronisation de la modulation du laser avec le testeur ..................................... II-61
II.6. Etude de cas ....................................................................................................................... II-62
II.6.1. Cas du registre à décalage ........................... II-62
II.6.1.1. Présentation ......................................................... II-62
II.6.1.2. Avec le laser continu : technique DLS classique. ............................................................... II-64
II.6.1.3. Avec le laser modulé : technique F-DLS ............................................ II-64
II.6.1.4. Résultats .............................................................................................. II-65
II.6.2. Cas du compteur binaire 14-bit ................................................... II-67
II.7. Conclusion ......................................................... II-68
III. Analyse du courant dynamique sous stimulation laser ....................................... III-71
III.1.1. Introduction ............................................................................... III-71
III.2. Etude de cas : un problème de transition de transistor. ............ III-72
III.2.1. Introduction ............................................... III-72
III.2.2. Montage et détermination des conditions expérimentales ........

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