Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation

Lazar, Mihai Bogdan

Description

,QWURGXFWLRQINTRODUCTIONCette thèse s’inscrit dans les travaux de recherche du laboratoire CEGELY(Centre de Génie Electrique de Lyon) dans le domaine du carbure de silicium (SiC),l’un des objectifs du CEGELY étant de créer des composants haute tension, enexploitant les caractéristiques remarquables du SiC par rapport au silicium. Dans unpremier temps des tensions de claquage de 1200 à 1700V ont été obtenues, lesrecherches actuelles étant orientées pour arriver à 5kV voire 10kV.+ +Pour atteindre ces objectifs, des diodes bipolaires p nn avec protectionspériphériques de type JTE (Junction Termination Extention) sont à réaliser. Celaimplique un travail interdépendant de conception et simulation de ces composants, deleur fabrication ainsi que de leur caractérisation électrique. Un travail de recherchebibliographique a été fait, portant sur la réalisation des diodes bipolaires protégéesJTE, en insistant sur les techniques de dopage et notamment sur l’implantationionique de type p dans le SiC hexagonal. L’implantation ionique étant un sujet derecherche très actuel dans le SiC, un suivi constant des publications doit être assuré.+Les jonctions p n dans les composants de puissance en carbure de siliciumdoivent être réalisées par implantation ionique à cause des très faibles coefficients dediffusion des dopants en SiC. Sa forte densité atomique ainsi que sa structurecristalline suppose un délicat recuit post implantation.L’implantation ionique des impuretés ...

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• Publié par: Ensi
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• Langue: Français

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