Nanophysique Nanophysique

Bernard Doudin

Description

TP, Supérieur, TP 1Nanophysique 1 cours pour introduire - les techniques de fabrication - la méthodologie - les contraintes techniques 1 cours pour introduire - les techniques de caractérisation - quelques exemples de nouvelles propriétés électrique, magnétique, optique 2 Nanophysique 1 TP sur 1 jour, (lundi) - processus de lithographie optique - métallisation - contrôle

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Sujets

• Esplanade
• Alsace
• Lorraine
• Technologie
• Centrale
• Cleanroom

Informations

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Extrait

Nanophysique
1 cours pour introduire
- les techniques de fabrication
- la méthodologie
- les contraintes techniques
1 cours pour introduire
- les techniques de caractérisation
- quelques exemples de nouvelles propriétés
électrique, magnétique, optique
1
Nanophysique
1 TP sur 1 jour, (lundi)
- processus de lithographie optique
- métallisation
- contrôle
2Bernard Doudin
E-mail: [e-mail]
URL: http://www-ipcms.u-strasbg.fr/gemme/perso/doudin/doudin-fr.html
IPCMS/ULP
Tel: [phone]
3
références
• Les nanosciences (vol 1) Lahmani et al, Belin (2006)
• Fundamentals of microfabrication M. J. Madou, CRC Press
(2002)
• Cornell Nanofab Center
www.cnf.cornell.edu
Pages cours (assez technique…)
• Basel Nanoelectronics lab
http://pages.unibas.ch/phys-meso/
4Pourquoi une telle excitation?
Convergence de plusieurs facteurs
-Les outils de visualisation ont progressé (essentiellement SPM)
-Les outils de fabrication en miniaturisation ont progresse (top-
down)
-Avènement de la chimie supramoléculaire (bottom-up)
-Nouveaux matériaux (meilleur exemple: nanotubes de C)
5
Un peu de politique…
Centrales nationales Centrales de proximité
Paris
Recherche de base, à vocation Recherche de base, structure
technologique d’appoint
15% externe Budget : 4M€
budget : 100 M€!!CTS-LorAl
Centrale de Technologie Spécifique Lorraine-Alsace
2 MinalorCN S
ISIS
ECPM LPMIAIPCMS
LPM
IPCMSECPM ISIS
Strasbourg Nancy
CN2S
2CN S Consortium
2CN S
FIB ISISIPCMS eFab
Cleanroom Esplanade
(ECPM - IPCMS)
2CN S Cleanroom
Cronenbourg Campus e-fab IPCMSMéthodes de fabrication top-down
-Historique des microprocesseurs
-Si
-Lithographies, limites de resolutions
- Fabrication de couches minces
- Gravure
9
Préhistoire
10Préhistoire
J. Kilby 1958
Texas Instruments
Integrated Circuit
11
Préhistoire
1961, Robert Noyce,
Fairchild Camera
Premier “chip”
(Si avec pistes Al)
12Préhistoire
Microprocessor 4004
Intel 1971
2250 transistors, 10µm technology, 108kHz
13
2006
Annonce Intel 1/06
14Raisons de succès
-Fabrication de substrats de Si de haute pureté
-Contrôle de dépôts de couches fines
-Techniques de structuration optimisées
-Attaque de matériaux sélective, contrôlée
-Composants électroniques « verticaux » (CMOS)
15
Fabrication top down
16Fabrication 1. Si
SI ultra-pur est la base du succès
17
Fabrication 1. Si
18Fabrication 1. Si
19
Fabrication 1. Si
20