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.
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.
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.
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.
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I.1
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.
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.
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.
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hnologie
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.
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.
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I.4
.
.
.
.
.
.
.
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.
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.
LC
.
.
.
.
.
à
.
LC
.
.
.
Bruit
.
.
.
.
.
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.
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6
.
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.
des
.
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.
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I
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ts
.
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I.2.b
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.
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.
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I.2.c
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.
.
.
.
.
.
.
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.
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.
.
.
.
.
.
.
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.
.
7
.
I.1.b
.
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.
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.
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.
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des
Bande
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.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Les
.
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.
yp
.
.
.
.
.
.
.
I
.
Phase
.
.
1
.
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.
I.1.c
.
Étude
.
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I.1.c
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.
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.
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.
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.
lisés
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Princip
.
taire
.
.
.
.
.
.
.
59
.
de
.
distribués
.
.
.
.
.
.
.
61
.
de
14
la
I.2
10-100GHz
Comparaison
.
des
.
élémen
.
ts
.
de
.
propagation
.
.
.
.
I.3.b
.
des
.
ulations
.
t
.
ques
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
36
.
Conclusion
.
premier
.
hapitre
.
.
.
.
.
.
17
.
I.2.a
.
P
.
aramètres
.
caractéristiques
.
des
.
lignes
.
de
.
tr
.
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I
n
État
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l'
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des
.
p
.
la
.
Millimétrique
.
I
.
Oscillateurs
.
circuit
.
t
.
t
17
e
I.2.b
.
Présen
.
tation
.
des
.
lignes
.
microrubans
.
sur
.
silicium
.
.
.
.
47
.
I.1.a
.
oscillateurs
.
circuit
.
t
.
t
.
e
.
.
.
.
.
.
20
.
I.2.c
.
Présen
.
tation
49
des
I.1.b
lignes
de
coplanaires
des
sur
LC
silicium
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I
.
Etat
.
l'art
.
our
23
bande
I.2.d
fréquences
Comparaison
.
des
.
structures
.
de
.
propagation
56
.
I.2
.
de
.
yp
.
distribué
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
26
.
I.3
.
Mo
.
délisation
59
électromagnétique
I.2.a
.
e
.
n
.
des
.
distribués
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I
.
Bruit
.
Phase
.
oscillateurs
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I
.
Etat
29
l'art
I.3.a
our
Mo
bande
délisation
fréquences
e
.
t
.
Sim
.
ulations
.
Électromagnétiques
62
.
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.
Réalisation
T
.
ABLE
I
D
.
ES
n
MA
au
TIÈRES
87
I
.
I.3
.
Comparaison
Conclusion
des
et
oscillateurs
de
LC
.
et
T
distribués
.
.
n
.
.
.
.
.
z
.
I.2.b
.
.
.
.
.
.
.
Annexes
.
.
.
.
.
Réalisation
.
.
.
alisation
.
e"
.
.
64
.
I
Présen
I.4
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Princip
des
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.
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.
l'oscillateur
97
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r
commande
.
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.
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distribué
.
.
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I
.
sième
.
.
.
.
.
.
.
p
.
:
.
exas
.
B
.
Ha
.
.
.
143
.
thermométrique
.
.
67
145
I
à
I.4.a
Contr
L'oscillateur
Silicium
à
à
commande
.
n
.
umérique
.
.
.
.
I
.
d'une
.
p
.
95
.
.2
.
distribués
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I
.
oscillate
.
à
.
.
.
.
67
.
I
I
I.4.b
d'un
In
53GHz
térêt
.
de
.
l'oscillateur
.
à
I
commande
t
n
hapitre
umérique
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
128
.
er
.
es
.
Annexe
.
à
.
selon
.
ts
.
139
70
Démonstration
I
u
I.4.c
.
Choix
.
de
.
l'arc
.
hitecture
C
d'oscillateur
déco
à
.
commande
.
n
.
umérique
.
.
à
.
ement
.
R
.
lateurs
71
Numérique
I
chnolo
I.5
vanc
Conclusion
distribués
du
fréquence
second
ariable
c
.
hapitre
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I
.
I.1.d
.
tation
.
commande
.
umérique
.
our
.
distribué
.
I
.
I
.
Réalisation
.
oscillateurs
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
72
.
I
.
I
I
I
I.2.a
Théorie
d'un
et
u
mise
distribué
en
10GH
÷uvre
.
des
.
oscillateurs
.
distribués
.
77
.
I
.
I
97
I
I
.1
Réalisation
Théorie
oscillateur
des
à
oscillateurs
.
distribués
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
114
.
I
.
.3
.
du
.
roi
.
c
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Conclusion
78
P
I
s
I
ectiv
I.1.a
133
Présen
137
tation
A
et
Oscillateur
origine
commande
de
umérique
s
T
oscillateurs
Instrumen
distribués
Inc.
.
.
.
Annexe
.
:
.
théorique
.
W
.
et
.
jimiri
.
.
.
.
.
.
78
.
I
.
I
.
I.1.b
.
Théorie
Annexe
des
:
oscillateurs
du
distribués
deur
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
"Contribution
.
l'Étude,
.
Développ
.
et
.
la
.
é
.
d'Oscil
.
à
.
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.
en
.
e
81
gie
I
A
I
é
I.1.c
ii
Oscillateurs.
.
.
T
une
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o
des
coplanaire
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ligne
1
.
Sc
.
h
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mo
a
.
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.
princip
.
e
.
d'une
.
b
.
oucle
.
à
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v
hes
errouillage
.
de
.
phase
.
.
.
.
.
.
16
.
.
.
dèle
.
.
.
.
.
.
.
Ligne
.
.
.
I.18
.
.
.
.
1
fonction
I.1
Comparaison
T
.
ransistor
65nm
MOS
eaux
hau
.
te
transmission
fréquence
des
.
Répartition
.
micr
.
I.13
.
.
.
.
.
.
.
.
.
équiv
.
.
.
.
.
.
.
équiv
.
.
.
.
.
à
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
7
.
I.2
.
Amplicateur
23
source-comm
d'une
une
et
p
W
etit-signal
et
déni
c
en
I.21
quadrip
la
ôle
.
.
I.22
.
CMOS
.
.
.
h
.
g
.
.
.
.
.
et
.
.
8
.
I.3
.
Mo
.
dèle
.
p
MOM
etit
.
sign
.
a
.
l
.
du
.
transistor
.
MOS
.
a
.
v
Mo
ec
t
habillage
transmission
RF
.
.
.
.
.
.
.
.
I.15
.
éc
.
t
.
de
.
.
.
.
.
.
.
I.16
.
.
8
.
I.4
.
Év
.
oluti
.
o
.
n
.
des
.
iii
20
.
sur
des
.
transistors
.
MOS
.
en
.
fonction
.
des
.
no
.
euds
coplanaire
tec
.
hnologiques
.
.
.
.
.
9
.
I.5
.
Év
.
oluti
.
o
Ev
n
de
des
magnétique
.
la
.
et
des
ligne
transistors
27
en
lignes
fonction
ligne
d
électrique
e
.
s
.
no
des
euds
ter-métal
tec
hnologie
hnologiques
.
[5]
.
.
.
.
des
10
métallisation
I.6
.
Comparaison
.
des
.
.
I.23
.
a
ostrip
des
en
es
tre
HFSS
BiCMOS9MW
.
et
.
CMOS
I.24
65nm
hamps
.
d'une
.
.
.
32
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
10
16
I.7
Capacité
Présen
.
ta
.
ti
.
o
.
n
.
des
.
niv
.
eaux
.
de
.
métallisation
.
en
.
CMOS
.
65nm
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I.14
.
dèle
.
alen
.
d'une
.
de
.
.
.
.
.
.
12
.
I.8
.
Év
.
oluti
.
o
.
n
.
des
18
in
Mo
terconnexions
en
métalliques
helle
dénies
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par
à
l'ITRS
ligne
.
transmission
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
19
.
Ligne
.
microruban
13
.
I.9
.
Mise
.
en
.
évidence
.
de
.
l'i
.
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.
p
.
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.
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.
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.
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.
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.
CMP
.
.
.
.
I.17
.
Microstrip
.
silicium
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
22
13
Ligne
I.10
.
Mo
.
dèles
.
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.
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.
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.
des
.
résistances
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I.19
.
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.
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.
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.
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.
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.
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.
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.
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.
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.
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.
.
.
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.
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.
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.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
29
.
Simplication
.
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.
de
.
de
.
65nm
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
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.
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.
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.
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.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
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.
Répartition
.
c
.
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.
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.
ligne
.
.
.
.
.
.
.
I.25
.
33
.
.
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.
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.
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.
transmission
Comparaison
sous
.
Momen
.
tum
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
chnolo
.
.
34
h
I.27
.
V
oscillateur
ue
.
3D
.
a
.
v
a
ec
.
Momen
a
tum
ta
.
.
.
é
.
.
.
gure
.
.
.
ec
.
princip
.
.
.
en
.
é
.
.
.
69
.
.
.
.
.
.
.
.
.
distribué
.
.
.
idéal
.
.
.
.
.
.
.
lateurs
.
ma
.
d
.
.
.
51
.
princip
.
.
35
.
I.28
h
Comparaison
t
des
.
sim
.
ulations
phase
HFSS
.
et
.
Mom
.
en
phase
tum
un
a
.
v
I
ec
le
les
à
mesures
55
d'une
b
ligne
.
coplanaire
.
.
I
.
amplicateur
.
.
.
.
.
Comparaison
.
te
.
.
.
.
.
mérite
.
hnologies
.
h
.
à
.
.
.
I
.
à
.
-
.
I
.
e
.
.
.
.
.
.
.
exploitables
.
.
.
.
.
.
.
I.25
.
d'une
.
.
.
.
.
70
.
ma
.
.
.
.
.
I
.
simplié
.
.
35
.
I.29
I.
Mo
oscillateur
dèle
.
distribué
.
équiv
à
alen
R
t
Numérique
en
vanc
éc
princip
helle
de
.
éren
.
.
.
.
.
.
.
I.12
.
ma
.
d'un
.
paire
.
.
.
.
.
.
.
I.13
.
ma
.
à
.
non
.
.
.
.
.
.
.
5
.
Bruit
.
résonateur
.
.
36
.
I.30
.
Mo
.
dèle
.
de
.
ligne
Bruit
uti
résonateur
lisé
e
p
de
our
.
Agilen
.
t
.
A
Mo
DS
p
.
de
.
d'un
.
L
.
.
.
I.17
.
o
.
d'un
.
propagation
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Sc
.
basique
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I
37
oscillateurs
I.31
m
Év
.
oluti
.
o
.
n
.
des
I
paramètres
gure
S
a
en
des
fonction
.
de
I.21
la
ma
longueur
d'un
de
n
li
.
g
.
n
.
e
Arc
.
re
.
n
.
ea
.
impaire
.
.
.
Sc
.
de
.
DCO
.
e
38
.
I
.
I.1
.
Sc
.
h
.
é
I.24
ma
v
simplié
.
d'un
.
oscillateur
.
.
.
.
.
.
.
.
69
.
h
.
princip
.
n
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I
.
h
.
d'un
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I.
.
é
.
amplicateur
.
.
.
.
44
.
I
.
I.2
I
Sc
Sc
h
simplié
é
.
ma
.
simplié
.
d'un
.
oscillateur
.
en
80
b
au
oucle
à
ouv
alisation
erte
Contr
.
T
.
Silicium
.
e"
.
de
.
e
.
oscillateur
.
Hartley
.
i
.
tiel
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
4
I
5
Sc
I
é
I.3
de
Sc
e
h
oscillateur
é
double
ma
croisée
d'un
.
système
.
b
.
ouclé
.
.
.
.
.
.
I
.
Sc
.
é
.
d'un
.
RLC
.
circui
.
actif
.
bruité
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
3
.
I.14
.
de
.
d'un
.
RLC
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
45
.
I
.
I.4
.
Circuit
.
résonan
.
t
.
LC
54
.
I.15
.
de
.
d'un
.
RLC
.
v
.
c
.
bruit
.
planc
.
er
.
.
.
.
.
.
.
.
.
54
.
I.16
.
dèle
.
Leeson
.
our
.
bruit
.
ph
.
se
.
oscillateur
.
résonateur
.
C
.
.
.
.
.
I
.
Représen
.
ti
.
n
.
ouclée
47
e
I
de
I.5
.
Sc
.
h
.
é
.
ma
.
équiv
.
alen
.
t
.
à
59
p
I.18
ertes
h
d
ma
'un
d'un
circuit
distribué
résonan
.
t
.
LC
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
60
.
I.19
.
des
.
par
.
de
.
éri
.
.
.
.
.
.
4
.
7
.
I
.
I.6
.
Sc
.
h
64
é
I.20
ma
par
équiv
de
alen
d'oscillateurs
t
v
à
détail
élémen
tec
ts
.
parallèles
.
d'un
I
circuit
Sc
résonan
é
t
de
LC
e
.
oscillateur
.
commande
.
umérique
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
48
67
I
I.22
I.7
hi
Sc
tu
h
d'oscillateur
é
commande
ma
umérique
équiv
ann
alen
u
t
n
d'un
.
o
.
sci
68
llateur
I.23
à
h
circuit
ma
résonan
princip
t
d'un
LC
de
.
yp
.
LC
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
I
48
Etats
I
des
I.8
aracto
Sc
.
h
.
é
.
ma
.
de
.
princip
.
e
.
d'un
.
oscillateur
.
de
.
Colpitts
.
.
.
.
.
.
I
.
Sc
.
é
.
de
.
e
.
PLL
.
umérique
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
49
.
I
.
I.9
I
Sc
I.
h
Sc
é
é
ma
simplié
de
amplicateur
princip
.
e
.
d'un
.
oscillateur
.
de
.
Colpitts
.
diéren
.
tiel
.
.
.
.
78
.
I
.
2
.
h
.
ma
.
d'un
.
distribué
.
.
.
.
.
.
50
.
I
.
I.10
.
Sc
.
h
.
é
79
ma
I
de
3
princip
h
e
ma
d'un
d'un
oscillateur
distribué
de
.
Hartley
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
"Contribution
.
l'Étude,
.
Développ
.
et
.
la
.
é
.
d'Oscil
.
à
.
ôle
.
en
50
e
I
gie
I.11
A
Sc
é
h
iv
é