Organic CMOS technology by dielectric interface engineering [Elektronische Ressource] / von Niels Benson

Description

Technische Universitat˜ DarmstadtFachbereich Material- und GeowissenschaftenFachgebiet Elektronische MaterialeigenschaftenOrganic CMOS technology by dielectricinterface engineeringZur Erlangung des akademischen GradesDoktor-Ingenieur (Dr.-Ing.)genehmigte DissertationvonDipl.-Ing. Niels Bensongeboren am 02.10.1976 in StuttgartDarmstadt 2008D 17Erstgutachter: Prof. Dr. H. von SeggernZweitgutachter: Prof. Dr. W. JaegermannTag der Einreichung: 21.11.2008Tag der mundlichen Prufung: 22.01.2008˜ ˜For my parents Eva and Phillip Benson and my grandmotherRuth Kron˜ ing.Contents1 Introduction 32 Theoretical fundamentals 72.1 Organic semiconductors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72.2 Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132.2.1 Organic fleld efiect transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142.2.2 In?uence of the dielectric interface on charge carrier transport inorganic fleld efiect transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202.3 Electrets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233 Experimental Framework 253.1 Materials . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253.2 Sample preparation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283.2.1 Thin fllm deposition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283.2.2 Sample structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293.2.

Informations

• Publié par: technischen_universitat_darmstadt
• Publié le: 01 janvier 2008
• Nombre de lectures: 17
• Langue: Deutsch
• Poids de l'ouvrage: 2 Mo

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