Technische Information Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode DN N Elektrische Eigenschaften Electrical properties Vorläufige Daten

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Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Vorläufige Daten Preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 25°C...Tvj max VRRM 200, 400 V repetitive peak reverse voltage 600 V Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 250, 450 V non-repetitive peak reverse voltage 650 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert IFRMSM 8000 A RMS forward current Dauergrenzstrom TK = 118°C IFAVM 5100 A mean forward current Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10ms IFSM 60 kA surge forward current Tvj = Tvj max, tp = 10ms 52 kA Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I?t 18,0 A?s*10 6 I?t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms 13,5 A?s*10 6 Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iF = 14kA vF max. 1,36 V forward voltage Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,7 V threshold voltage Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT 0,047 mW forward slope resistance Sperrstrom Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR max. 60 mA reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, Q = 180°sin max.

  • thermal properties

  • netz-gleichrichterdiode rectifier

  • übergangs-wärmewiderstand kühlfläche

  • anodenseitig rthn

  • electrical properties

  • tvj max


Publié le : lundi 18 juin 2012
Lecture(s) : 42
Source : thierry-lequeu.fr
Nombre de pages : 11
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 40...+180
 40...+180
°C
T stg
beidseitig / twosided
R thCK
Kühlfläche / cooling surface
Kathode / cathode, DC
Tvj= Tvj max, vR= VRRM
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
V V
SZAM / 990924, K.A.Rüther
A118/99
Betriebstemperatur
max. junction temperature
Lagertemperatur
operating temperature
storage temperature
kA kA
60 52
Sperrstrom reverse current
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
46 DN 02 ... 06
200, 400 600
V V
250, 450 650
Preliminary data
Anode / anode, DC Kathode / cathode,Q= 180°sin
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / twosided,Q= 180°sin
TK= 118°C
beidseitig / twosided, DC Anode / anode,Q= 180°sin
T = 25°C, t = 10ms vj p T = T , t = 10ms vj vj max p
Tvj= 25°C, tp= 10ms T = T , t = 10ms vj vj max p
R thJC
max. max. max. max. max. max.
r T
v F
max.
V (TO)
max.
iR
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj=  25°C...Tvj max
Seite/pa
Grenzlastintegral I²tvalue
ÜbergangsWärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
mean forward current
StoßstromGrenzwert
surge forward current
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
RMS forward current
Dauergrenzstrom
DurchlaßstromGrenzeffektivwert
Stoßspitzensperrspannung
nonrepetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
mA
60
°C
Tvj= Tvj max, iF= 14kA
Tvj= Tvj max
T = T vj vj max
forward voltage
Durchlaßspannung
threshold voltage
Schleusenspannung
Tvj= + 25°C...Tvj max
V RRM
I FAVM
I FSM
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
IFRMSM
VRSM
N
0,00935 0,00879
NetzGleichrichterdiode Rectifier Diode
V
V
mW
1,36
0,7
18,0 13,5
0,047
Technische Information / Technical Information
0,0030
°C
°C/W
180
T c op
A
5100
T vj max
max.
A
8000
Technische Information / Technical Information
NetzGleichrichterdiode Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix
SiElemente mit Druckkontakt Sipellets with pressure contact
Anpreßkraft clamping force
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
f = 50Hz
Hinweis : Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen ORing zu schützen. Notice: We recommend to protect the diode with a temperture resistantORing.
F
G
N
Preliminary data
typ.
Seite 3 page 3
30...45
102
50
kN
g
mm
m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZAM / 990924, K.A.Rüther
A118/99
Seite/pa
Technische Information / Technical Information
Rectifier Diode
SZAM / 990924, K.A.Rüther
46 DN 02 ... 06
A118/99
Z. Nr.: 1
N
Seite/pa
4,1
Rthn[°C/W] n[s]
0,000413
0,00093 0,003475 0,00275
N
R [°C/W] thn  [s] n
Rthn[°C/W] n[s]
Seite/page 4
anodenseitig anodesided
kathodenseitig
cathodesided
Pos.n
A118/99
SZAM / 990924, K.A.Rüther
46 DN 02 ... 06
 nmax  Analytische Funktion / analytical function : ZthJC==åRthn( 1  EXP (  t /n))  n=1
7
0,01950 0,092000 0,28200
4
0,004360
0,00110
0,00105
3
5
6
Netz Gleichrichterdiode Rectifier DiodeThyristor
0,000017
0,000173
Technische Information / Technical Information
0,000014
0,000150
Kühlung cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJCfür DC Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJCfor DC
1
beidseitig twosided
2
Technische Information / Technical Information
NetzGleichrichterdiode Rectifier Diode
18000
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0 0,6
46 DN 02 ... 06
Ö vT= A+B*iT+ln(iT+1)+iT
T = 25 °C T = T vj vj vj max
A = 0,884 = 0,63337 B =1,22746E05 = 7,07695E06 C = 2,603E02 = 2,8199E02 D = 5,4002E03 = 7,553E03
SZAM / 990924, K.A.Rüther
0,8
1
vF[V]
1,2
N
1,4
Grenzdurchlaßkennlinien / Limiting 0nstate characteristics iF= f(vT) Tvj= Tvjmax Tvj°C= 25
A118/99
Z. Nr.: 2
Seite/page 5
1,6
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
0,009
0,008
0,007
0,006
0,005
0,004
0,003
0,002
0,001
0,000 0,001
46 DN 02 ... 06
0,01
0,1 t [s]
1
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC= f(t), DC
SZAM / 990924, K.A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 3
N
Seite/page 6
10
DC
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
0,014
0,012
0,01
0,008
0,006
0,004
0,002
0 30
60
46 DN 06
90
Q[ °el]
120
150
N
Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values of thermal for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
SZAM / 990924, K.A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 4
Seite/pa
180
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
100.000
30.000
10.000 0,01
SZAM / 990924, K.A.Rüther
0,1
46 DN 02 ... 06
I = TAV (vor) 0 A 2400A 2800A 3100 A 3400A 3600A
1 t [s]
10
Überstrom / Overload onstate current IF(OV)= f(t) Beidseitige verstärkte Kühlung / forced twosided cooling K0.024 TA= 25°C, VL= 4 l/s Parameter: Vorlaststrom / preload current IFAV (vo r )
A118/99
z. Nr.: 5
N
Seite/pa
100
Technische Information / Technical Information
Rectifier Diode
1
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2 0
1
2
46 DN 02 ... 06
3
4
5 tp[ms]
6
7
8
Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp Normalized i²dt rating as a function of the duration of a halfcycle tp
SZAM / 990924, K.A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 6
N
Seite/pa
9
10
Technische Information / Technical Information NetzGleichrichterdiode Rectifier Diode46 DN 02 ... 06
10.000
1.000
100
10 0,1
1
10 di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr= f(di/dt) T = T ; V = 0,5 V ; V = 0,8 V vj vjmax R RRM RM RRM Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iF M Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) Beschaltung: C = 1µf , R = 4W
A118/99
Z. Nr.: 7
N
iFM= [A] 3200 1600  800
 400
 200
 100
1000
Technische Information / Technical Information NetzGleichrichterdiode Rectifier Diode46 DN 02 ... 06
10.000
1.000
100
10 0,1
1
10 di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr= f(di/dt) Tvj= Tvjmax; VR= 0,5 VRRM; VRM= 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iF M Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) Beschaltung: 2,2 µF, R = 1,8W
A118/99
Z. Nr.: 8
N
iFM= [A] 3200/1600 800 400 200 100
1000
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