Crystal growth and normal state transport of electron doped high temperature superconductors [Elektronische Ressource] / Michael Lambacher

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¨ ¨TECHNISCHE UNIVERSITAT MUNCHENLehrstuhl E23 fur¨ Technische PhysikWalther Meißner Institut fur¨ Tieftemperaturforschung der BayerischenAkademie der WissenschaftenCrystal growth and normal statetransport of electron doped hightemperature superconductorsMichael LambacherVollstandiger¨ Abdruck der von der Fakultat¨ fur¨ Physik der TechnischenUniversitat¨ Munchen¨ zur Erlangung des akademischen Grades einesDoktors der Naturwissenschaftengenehmigten Dissertation.Vorsitzender: Univ. Prof. Dr. R. NetzPrufer¨ der Dissertation: 1. Univ. Prof. Dr. R. Gross2. Univ Chr. Pfleiderer, Ph. D.Die Dissertation wurde am 04.08.2008 bei der Technischen Universitat¨Munchen¨ eingereicht und durch die Fakultat¨ fur¨ Physik am 13.10.2008angenommen.AbstractThe present thesis deals with the improvement of the growth and annealing param eters as well as the influence of oxygen impurities on the structural and electronicproperties of Re Ce CuO (Re = La, Pr, Nd, Sm) single crystals. For transport2¡x x 4measurements a sample set of high quality single crystals of Nd Ce CuO was2¡x x 4available, which covers the major part of the phase diagram on the electron dopedside of the cuprate high temperature superconductors. The resulting unusual trans port data of the optimally doped and overdoped crystals can be explained withinconventional Boltzmann transport theory when applying a two band model withanisotropic scattering rates.

Sujets

• Physik

Informations

• Publié par: technische_universitat_munchen
• Publié le: 01 janvier 2008
• Nombre de lectures: 24
• Langue: Deutsch
• Poids de l'ouvrage: 5 Mo

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