Finite element discretization of 3D energy transport equations for semiconductors [Elektronische Ressource] / Stephan Gadau

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• Publié par: johannes_gutenberg-universitat_mainz
• Publié le: 01 janvier 2007
• Nombre de lectures: 32
• Langue: Deutsch
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Extrait

Finite-element discretization of
3D energy-transport equations for
semiconductors
Dissertation
zur Erlangung des Grades
,,Doktor der Naturwissenschaften"
am Fachbereich 08{Physik, Mathematik und Informatik
der Johannes Gutenberg-Universit at
Mainz
Stephan Gadau,
geb. in Sch onebeck (Elbe)
Mainz, 2007Tag der mundlic hen Prufung: 22. Januar 2008
D77{Mainzer DissertationZusammenfassung
In der vorliegenden Dissertation wird die Herleitung eines mathematischen Mod-
ells zur Beschreibung des Ladungs- und Energietransports in Halbleiterbauelementen
wie Transistoren sowie die numerische Simulation dieser Prozesse thematisiert. Dabei
kommen Methoden der theoretischen Physik, der Funktionalanalysis, der numerischen
Mathematik und der Computerprogrammierung zum Einsatz.
Nach einer einleitenden Passage zum aktuellen Stand der Halbleitersimulationsver-
fahren und einem kurzen Uberblick ub er die historische Entwicklung der mathematis-
chen Modelle bis in die Gegenwart wird auf die Konstruktion eines Modells eingegan-
gen, das die Grundlage aller nachfolgenden Arbeitsschritte dieser Dissertation bildet.
Als Ausgangspunkt dient dabei eine fundamentale Gleichung aus der Gasdynamik. Mit
Hilfe einer Reihenentwicklung wird daraus in einem mehrstu gen Proze das Modell
spezi ziert. Diese Herleitung ist gr o ten teils einer Publikation entnommen und bildet
nicht den Kern der Arbeit.
In der sich anschlie enden Phase wird die mathematisch pr azise Formulierung des
Modells vorgenommen. Dabei sind u.a. funktionalanalytische Techniken n otig. Der
Systemcharakter der Gleichungen stellt einen innovativen Aspekt gegenub er skalaren
elliptischen Gleichungen dar, deren Theorie mittlerweile als Standard angesehen wer-
den kann.
Im Anschlu daran ist die numerische Diskretisierung der Gleichungen Gegenstand
der Betrachtungen. Eine Finite-Elemente-Methode, die speziell auf den Gleichungstyp
zugeschnittenen ist, ndet hierbei Verwendung. Diese Spezialisierung des Typs der
Ansatzfunktionen ist notwendig, um der in der Praxis auftretenden Forderung nach
physikalischer Interpretierbarkeit der Resultate Rechnung zu tragen. Mit einer Reihe
von mathematischen Transformationen der so gewonnenen diskreten Gleichungen
wird ein System von algebraischen Gleichungen hergeleitet, das sich zur numerischen
Auswertung eignet. Vom Autor dieser Arbeit selbst entwickelte Computerprogramme
kommen dabei zur numerischen L osung der Gleichungen zum Einsatz. Diese Pro-
gramme basieren teilweise auf neuen, angepa ten Iterationsalgorithmen, die im Rah-
men dieser Forschungsarbeit entwickelt und getestet wurden. Ihnen ist aufgrund ihrer
Bedeutung und ihrer Neuartigkeit gro er Raum in der Arbeit gewidmet. Umfangreiche
Analysen der Iterationsschemata und der Vergleich mit einem Standarditerationsver-
fahren, das mit Hilfe einer Erg anzung dem Problemkontext angepa t wurde, sind hier
als Hauptarbeitsschritte zu nennen.
Eine weitere Neuerung besteht in der numerischen Bestimmung von 3D-Resultaten
unter Beruc ksichtigung der vorhandenen Rechnerkapazit aten. Es wurde darauf
geachtet, dass die Ergebnisse bei vertretbarem Zeit- und Speicheraufwand berechnet
werden k onnen. Die Simulationsergebnisse einer Reihe von Modellen moderner Hal-
bleiterbauelemente werden graphisch dargestellt und ausfuhrlic h kommentiert.
Den Abschlu der Arbeit bildet ein Ausblick auf Entwicklungsm oglichkeiten und Er-
weiterungen der vorhandenen Modelle und der Algorithmen.Abstract
In this thesis a mathematical model was derived that describes the charge and
energy transport in semiconductor devices like transistors. Moreover, numerical simu-
lations of these physical processes are performed. In order to accomplish this, methods
of theoretical physics, functional analysis, numerical mathematics and computer pro-
gramming are applied.
After an introduction to the status quo of semiconductor device simulation methods
and a brief review of historical facts up to now, the attention is shifted to the con-
struction of a model, which serves as the basis of the subsequent derivations in the
thesis. Thereby the starting point is an important equation of the theory of dilute
gases. From this equation the model equations are derived and speci ed by means of
a series expansion method. This is done in a multi-stage derivation process, which is
mainly taken from a scienti c paper and which does not constitute the focus of this
thesis.
In the following phase we specify the mathematical setting and make precise the model
assumptions. Thereby we make use of methods of functional analysis. Since the equa-
tions we deal with are coupled, we are concerned with a nonstandard problem. In
contrary, the theory of scalar elliptic equations is established meanwhile.
Subsequently, we are preoccupied with the numerical discretization of the equations. A
special nite-elemen t method is used for the discretization. This special approach has
to be done in order to make the numerical results appropriate for practical application.
By a series of transformations from the discrete model we derive a system of algebraic
equations that are eligible for numerical evaluation. Using self-made computer pro-
grams we solve the equations to get approximate solutions. These programs are based
on new and specialized iteration procedures that are developed and thoroughly tested
within the frame of this research work. Due to their importance and their novel status,
they are explained and demonstrated in detail. We compare these new iterations with
a standard method that is complemented by a feature to t in the current context.
A further innovation is the computation of solutions in three-dimensional domains,
which are still rare. Special attention is paid to applicability of the 3D simulation
tools. The programs are designed to have justi able working complexity. The simu-
lation results of some models of contemporary semiconductor devices are shown and
detailed comments on the results are given.
Eventually, we make a prospect on future development and enhancements of the models
and of the algorithms that we used.CONTENTS 4
Contents
1 Introduction 5
2 Modeling 7
2.1 Semiconductor fundamentals . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2 Derivation of the energy-transport model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2.1 First macroscopic scale: the \spherical" harmonic expansion model . . . . . 10
2.2.2 Second scale: the energy-transport model . . . . . . . . . . . . 12
2.2.3 Properties of the di usion matrix and the energy relaxation term . . . . . . 13
2.3 The Poisson equation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.4 The stationary energy-transport model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3 The linearization and weak relation 19
3.1 Maximum principle for the Poisson equation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2 The linear current continuity system . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
4 Numerical approximation 25
4.1 Mixed nite-elemen t discretization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4.2 Hybridized mixed nite elements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4.3 Discretization of the Poisson equation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
4.4 Static condensation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.5 Evaluation of terminal currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
5 The iterations 34
5.1 Path following and related extended systems . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
5.2 The full Newton method . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5.3 The Gummel-type iterations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5.3.1 Decoupling of the current continuity system . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.4 Vector extrapolation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.4.1 Reduced rank extrapolation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.4.2 Extension of the RRE to nonlinear sequences . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.4.3 Application to the Gummel-type iterations . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
6 Numerical tests and simulations 49
6.1 Programming and technical notes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
6.2 Parameters of numerical tests . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
6.2.1 Computation of the equilibrium solution and extension of applied voltage . 49
6.2.2 Approximation of di usion coe cien ts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
6.2.3 Preconditioning and scaling . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
6.2.4 Integration and smoothing of doping pro le . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.2.5 Continuation in the applied bias and path-following . . . . . . . . . . . . . 51
6.2.6 Grid generation and local re nemen t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.2.7 Postprocessing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
6.3 Test of 1D devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
6.3.1 Ballistic diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
6.4 Test of 2D devices . . . . . . . . . . . . . . .