Mechanical surface nano-patterning of Indium phosphide and silicon for subsequent electrochemical processing [Elektronische Ressource] = Mechanische Oberflächen-Nanostrukturierung von Indiumphosphid und Silizium für anschließende elektrochemische Prozesse / vorgelegt von Rémy Gassilloud

Rémy Gassilloud Copyright 2006 Email: [e-mail]

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Mechanical Surface Nano-patterning of Indium Phosphide and Silicon for Subsequent Electrochemical Processing Mechanische Oberflächen-Nanostrukturierung von Indiumphosphid und Silizium für Anschliessende Elektrochemische Prozesse Der Technischen Fakultät der Universität Erlangen-Nürnberg zur Erlangung des Grades DOKTOR-INGENIEUR Vorgelegt von Rémy GASSILLOUD Erlangen- 2006 Als Dissertation genehmigt von der Technischen Fakultät der Universität Erlangen-Nürnberg Tag der Einreichung: 21.04.2006 Tag des Promotion: 10.11.2006 Dekan: Prof. Dr. –Ing. A. Leipertz Berichterstatter: Prof. Dr. P. Schmuki Prof. Dr. M. Göken Dr. J. Michler INHALTSVERZEICHNIS Kapitel 1 Einführung 1 Kapitel 2 Literaturüberblick 5 2.1 Der Nano-Ritz Prozess 6 2.1.1 Beschreibung des Ritztests 6 2.1.2 Ritzhärte 8 2.1.3 Reibungskoeffizient 9 2.1.4 Spitzengeometrien 9 2.1.5 Experimentelle Spitzengeometrien 11 2.2 Mechanische Analyse 12 2.2.1 Indiumphosphid und Silizium 12 2.2.2 Elastizitätsmodul 13 2.2.3 Einsetzen von Plastizität, Halbleiterfluss und Phasentransformation 17 2.2.4 Das elastische Spannungsfeld 21 2.3 Allgemeine Aspekte der Elektrochemie von Halbleitern 24 2.3.1 Bandstruktur eines Halbleiters 24 2.3.

Informations

• Publié par: friedrich-alexander-universitat_erlangen-nurnberg
• Publié le: 01 janvier 2007
• Nombre de lectures: 19
• Langue: Deutsch
• Poids de l'ouvrage: 10 Mo

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