On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Tobias Höchbauer

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On the Mechanisms of Hydrogen Implantation Induced Silicon Surface Layer Cleavage Dissertation zur Erlangung des Doktorgrades der Naturwissenschaften (Dr. rer. nat.) dem Fachbereich Chemie der Philipps-Universität Marburg vorgelegt von Tobias Höchbauer aus Mallersdorf Marburg/Lahn, November 2001 Vom Fachbereich Chemie der Philipps-Universität Marburg als Dissertation am 17.12.2001 angenommen. Erstgutachter: Prof. Dr. W. Ensinger Zweitgutachter: Prof. Dr. G.K. Wolf (Universität Heidelberg) Tag der mündlichen Prüfung: 18.12.2001 Zusammenfassung IThe English version of this summary appears on page 185 Zusammenfassung Der sogenannte ”Ion-Cut”, ein Schichtabspaltungsprozess mittels Wasserstoff-Ionenimplantation und darauffolgender Probenerwärmung ist eine effektive, vielseitige und ökonomische Methode, um Siliziumschichten mit einer Dicke von nur einigen Nanometern von einem Siliziumsubstrat auf andere Materialien zu transferieren. Somit ermöglicht der Ion-Cut die Produktion von Siliziumschichen auf isolierenden Materalien (”silicon-on-insulator” (SOI)). Die Abspaltung ist durch das Zusammenwachsen von vergrabenen hochkomprimierten Wasserstoffgasblasen verursacht, die während der Probeerhitzung entstehen. Obwohl das Phänomen des Ion-Cuts weit verbreitete Anwendung findet, sind die fundamentalen Mechanismen dieses Abspaltungsprozesses nach wie vor nicht verstanden, was eine weitere Optimierung des Ion-Cut Prozesses verhindert.

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Publié le 01 janvier 2003
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